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图片信息

BSS806N L6327
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSS806N L6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  • 系列:OptiMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.7nC @ 2.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):529pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:PG-SOT23-3
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