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图片信息
BSC750N10ND G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:BSC750N10ND G
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • 产品应用分类:场效应管阵列
  • 点击此处下载BSC750N10ND G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSC750N10ND G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 12μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):720pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:26W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • BSC750N10ND G均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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