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图片信息

IXYQ40N65C3D1
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:IXYQ40N65C3D1
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:IGBT
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:XPT, GenX3
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):180A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,40A
  • 功率-最大值:300W
  • 开关能量:830J(开),650J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:66nC
  • 25°C时Td(开/关)值:23ns/110ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):40ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-3P-3,SC-65-3
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