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图片信息
IRF6723M2DTRPBF图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IRF6723M2DTRPBF
  • 原始制造厂商:IR,国际整流器
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
  • 产品应用分类:场效应管阵列
  • 点击此处下载IRF6723M2DTRPBF的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IRF6723M2DTRPBF
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1380pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:DirectFET 等容 MA
  • 供应商器件封装:DIRECTFET MA
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