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图片信息

G200P04S2
Goford 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:G200P04S2
  • 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
  • 封装:8-SOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOP
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2365pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:2.1W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOP
  • G200P04S2均从Goford代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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