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NV6029（品牌: GeneSiC）充足现货订购、免费样品
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技术参数详解：
- 型号:NV6029
- 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
- 封装:8-PDFN（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 12A，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 24mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 6 V
- Vgs（最大值）:+7V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:227 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-PDFN（8x8）
- 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
- NV6029均从GeneSiC代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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