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图片信息

GA50JT06-258
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：GA50JT06-258
  • 制造商：GeneSiC Semiconductor (已被Navitas纳微半导体收购)
  • 描述：TRANS SJT 600V 100A TO258
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：-
  • 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 50A
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：769W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 225°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-258
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