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图片信息
GA35XCP12-247图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:GA35XCP12-247
  • 原始制造厂商:GeneSiC
  • 技术标准参数:IGBT 1200V SOT247
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载GA35XCP12-247的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:GA35XCP12-247
  • 制造商:GeneSiC Semiconductor
  • 描述:IGBT 1200V SOT247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 电流-集电极脉冲(Icm):35A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,35A
  • 功率-最大值:-
  • 开关能量:2.66mJ(开),4.35mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:50nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-
  • 测试条件:800V,35A,22欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):36ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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