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图片信息

SGR2N60UFDTM
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：SGR2N60UFDTM
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：2.4A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：10A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，1.2A
  • 功率-最大值：25W
  • 开关能量：30J（开），13J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：9nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/80ns
  • 测试条件：300V，1.2A，200 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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