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图片信息

FQI34P10TU
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:FQI34P10TU
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-262（I2PAK）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 16.75A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2910 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:3.75W（Ta），155W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
  • FQI34P10TU均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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