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图片信息
FQA6N90图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:FQA6N90
  • 原始制造厂商:Fairchild,仙童,飞兆
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载FQA6N90的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:FQA6N90
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
  • 系列:QFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):900V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.4A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.9 欧姆 @ 3.2A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1880pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:198W
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P
  • FQA6N90均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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