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图片信息

FDP020N06B_F102
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:FDP020N06B_F102
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):268nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):20930pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:333W
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
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