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图片信息

FDMC6675BZ
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:FDMC6675BZ
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-MLP（3.3x3.3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），20A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.4 毫欧 @ 9.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2865 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），36W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-MLP（3.3x3.3）
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • FDMC6675BZ均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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