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图片信息

FDMB3800N
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:FDMB3800N
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-MLP，MicroFET（3x1.9）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.6nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:465pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:750mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装:8-MLP，MicroFET（3x1.9）
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