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图片信息

FDFC3N108
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:FDFC3N108
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):4.9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):355pF @ 10V
  • FET功能:肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:SuperSOT-6
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