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图片信息
FDD13AN06A0_F085图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:FDD13AN06A0_F085
  • 原始制造厂商:Fairchild,仙童,飞兆
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载FDD13AN06A0_F085的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:FDD13AN06A0_F085
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.9A(Ta),50A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):13.5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:115W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:D-Pak
  • FDD13AN06A0_F085均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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