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图片信息
2N5461_D26Z图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:2N5461_D26Z
  • 原始制造厂商:Fairchild,仙童,飞兆
  • 技术标准参数:JFET P-CH 40V 350MW TO92
  • 产品应用分类:JFET结点场效应管
  • 点击此处下载2N5461_D26Z的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:2N5461_D26Z
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:JFET P-CH 40V 350MW TO92
  • 系列:-
  • FET 类型:P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
  • 漏源极电压 (Vdss):-
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):2mA @ 15V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值:-
  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1μA
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(开):-
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商器件封装:TO-92-3
  • 功率 - 最大值:350mW
  • 2N5461_D26Z均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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