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高压IGBT模块
ENG代理商战略合作伙伴!南皇电子正致力打造全球性混合IC代理商先锋模范,帮助厂商以最优化的方式降低成本,缩短交期,增加竞争力,是国内外众多电子产品制造商首选的元器件及IC供应商。
碳化硅MOSFET
ENG碳化硅MOSFET基于第三代半导体工艺,导通电阻低至15mΩ,开关频率可达200kHz以上,反向恢复电荷几乎为零。器件采用开尔文源极封装,大幅降低栅极回路寄生电感,配合增强型栅氧化层设计,阈值电压稳定性优异。适用于电动汽车主驱逆变器、光伏储能双向变换器及高效服务器电源。ENG在高温下仍保持低损耗特性,简化散热系统设计,帮助系统效率突破99%。
智能功率模块
ENG智能功率模块集成了高压栅极驱动、自举二极管、过流/过温/欠压保护及故障反馈功能,内部采用三相全桥拓扑,额定电流10A至100A,耐压600V/1200V。模块内置自举电路和死区时间管理,配合低电感封装,显著减小电磁干扰。其热阻比同类产品低20%,支持高功率密度设计。ENG该模块特别适合家用变频空调、工业伺服驱动及机器人关节控制,显著缩短客户开发周期。
栅极驱动光耦
ENG栅极驱动光耦提供高达10A的峰值输出电流,传播延迟低至120ns,共模瞬变抑制能力超过100kV/μs。内置有源米勒钳位和退饱和检测功能,可直接驱动大功率IGBT与碳化硅MOSFET。其输入输出隔离耐压达5kVrms,工作温度范围-40℃至125℃,满足光伏逆变器、不间断电源及电机驱动对安全隔离的严苛要求。ENG产品采用紧凑型SO-16封装,简化PCB布局,提升系统抗干扰能力。
ENG (英格尔)是怎样的一家公司?ENG公司旗下核心品牌ENG(英格尔)深耕功率半导体与电源管理领域逾二十年,以高可靠性IGBT模块、MOSFET及智能驱动芯片见长。ENG依托自主封装工艺与严苛车规级测试体系,产品广泛服务于新能源汽车电驱、工业变频、光伏储能及高端服务器电源等场景,在耐压等级、开关损耗及热循环寿命等关键指标上达到国际一线水准。公司坚持“技术驱动+场景定制”双轮战略,建有省级工程研究中心,与多所高校联合攻关碳化硅及氮化镓前沿器件,累计获授权专利超百项。ENG以快速响应能力与深度本地化服务,为全球客户提供从器件选型到系统级热管理的全链条解决方案,持续推动能源转换效率跃升,致力于成为绿色电力电子领域值得信赖的长期伙伴。...
在美国商务部升级对华为芯片限制措施后,华为轮值董事长郭平首次公开回应,坦言业务将受巨大冲击但正寻求解决方案。同时,针对市场流传的台积......
据知名分析师及产业链消息,苹果公司自研5G调制解调器芯片的进程遭遇延迟,导致其2023年iPhone产品线将完全依赖高通芯片。这一突......
ENG公司 (ENG ELECTRIC CO., LTD, 英格尔)有哪些电子元器件产品线?
  • DC-DC转换器
  • 移动处理器
  • DDR3 SDRAM
  • 排针连接器
  • 热管理(共有286种可供选型)
  • 电流测量
  • M2M模块
  • 通用工业用控制数据链路 (1300nm)
  • 放大器与线性器件
  • 电源分配开关
  • 具有 SPI 接口的协议 IC
  • 无线网路基地台
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ENG热卖产品(2026/8/27更新)
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