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图片信息
ZXMC3A18DN8TA图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:ZXMC3A18DN8TA
  • 原始制造厂商:Diodes,美台半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载ZXMC3A18DN8TA的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:ZXMC3A18DN8TA
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):5.8A,4.8A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1800pF @ 25V
  • 功率-最大值:1.8W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • ZXMC3A18DN8TA均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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