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图片信息

DMN100-7
Diodes 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • Diodes公司完整型号：DMN100-7
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SC-59-3
  • DMN100-7均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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