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图片信息

DGTD65T40S1PT
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:DGTD65T40S1PT
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):160A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
  • 功率-最大值:341W
  • 开关能量:1.15mJ(开),350J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:219nC
  • 25°C时Td(开/关)值:58ns/245ns
  • 测试条件:400V,40A,7.9 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):145ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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