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高精度轨到轨运算放大器
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超低噪声LDO稳压器
该LDO采用创新的NMOS调整管结构,压差电压在1A负载时仅180mV,静态电流低至25μA。输出噪声密度在10Hz处仅为3.2nV/√Hz,电源抑制比在1MHz时仍保持65dB。内置限流与热关断保护,支持1.8V至5.5V输入范围,输出可调至0.6V。Circuit Dojo特别优化了瞬态响应特性,在0.1A至1A负载跳变时过冲小于30mV,恢复时间不足5μs,适合为射频收发器、高速ADC/DAC及精密时钟电路提供纯净供电轨。
多通道16位ADC
该ADC集成了4个独立采样保持电路,支持同步采样,分辨率为16位,最大采样率可达500kSPS。每个通道均配备可编程增益放大器,增益范围为1至64,有效位数在增益为1时达到15.2位。内部集成2.5V基准源,温漂系数为3ppm/℃,并支持外部基准输入。SPI接口兼容3.3V/5V逻辑。Circuit Dojo在芯片中加入了数字滤波与失调校准引擎,可自动消除系统级直流偏移,简化了多相电力监测、振动分析及声学阵列的数据采集设计,显著降低BOM成本。
隔离式栅极驱动芯片
该驱动芯片具备4A峰值拉灌电流能力,传播延迟典型值仅45ns,通道间匹配延迟小于3ns。内置5kVRMS隔离栅,共模瞬变抗扰度高达150kV/μs,工作电压范围覆盖10V至35V。支持半桥或全桥配置,集成米勒钳位和软关断功能,有效抑制开关噪声。Circuit Dojo针对SiC MOSFET和GaN HEMT优化了输出级动态特性,使栅极驱动波形边沿单调且振铃极小。其欠压锁定保护阈值可编程,适应不同功率级设计需求,适用于服务器电源、电动汽车逆变器及光伏储能系统。