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高亮度LED芯片
CREE代理商战略合作伙伴!南皇电子正致力打造全球性混合IC代理商先锋模范,帮助厂商以最优化的方式降低成本,缩短交期,增加竞争力,是国内外众多电子产品制造商首选的元器件及IC供应商。
碳化硅功率MOSFET
此碳化硅功率MOSFET基于CREE成熟的SiC工艺,具有极低的导通电阻和开关损耗,击穿电压达1200V,工作频率高,适合电动汽车逆变器及高效电源系统。CREE通过优化栅极氧化层,提升了器件可靠性,结温可达175°C,大幅减少散热需求,助力系统实现更高功率密度与能效。
大功率LED封装器件
该大功率LED封装器件集成CREE多芯片阵列技术,光通量突破3000流明,配光均匀,显色指数Ra>80,专为体育场馆和工业照明设计。封装采用陶瓷基板和共晶焊接,热阻低至0.5°C/W,结合CREE独特的荧光粉涂覆工艺,光斑无黄化,长期使用光衰极小,满足严苛的户外环境要求。
碳化硅肖特基二极管
该碳化硅肖特基二极管利用CREE的SiC衬底材料,反向恢复电荷近乎为零,开关速度极快,耐压650V,额定电流20A。CREE的结势垒结构有效抑制漏电流,高温特性极佳,适合高频PFC电路及光伏逆变器。器件无反向恢复振荡,显著降低电磁干扰,提升系统整体效率与稳定性。