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图片信息

CGD65C055SP2
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:CGD65C055SP2
  • 品牌:CGD公司 (Cambridge GaN Devices)
  • 封装:BHDFN-9-1
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:650V GAN HEMT, 55 MOHM, 27A, BHD
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:77 毫欧 @ 10A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.2V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
  • 供应商器件封装:BHDFN-9-1
  • 封装/外壳:-
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