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图片信息
AOT12N60FD图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:AOT12N60FD
  • 原始制造厂商:AOS,美国万代半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  • 产品应用分类:FET - 单
  • 点击此处下载AOT12N60FD的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号: AOT12N60FD
  • 制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 12A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 650 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 50nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2010pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 278W
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-220-3
  • 供应商器件封装: TO-220
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