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图片信息

AONR26309A
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:AONR26309A
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP（3x3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道，共漏（互补）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），14A（Tc），5.7A（Ta），21A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 6.5A，10V，32 毫欧 @ 5.7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A，2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V，1100pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.5W（Ta），7W（Tc），1.5W（Ta），20.8W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
  • AONR26309A均从AOS代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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