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图片信息
ALD1101APAL图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:ALD1101APAL
  • 原始制造厂商:ALD(Advanced Linear Devices)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载ALD1101APAL的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:ALD1101APAL
  • 制造商:Advanced Linear Devices Inc.
  • 描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N 沟道(双)配对
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):10.6V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):75 欧姆 @ 5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 10μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):10pF @ 5V
  • 功率-最大值:500mW
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • ALD1101APAL均从ALD代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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