TPC8117(TE12L,Q)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：TPC8117(TE12L,Q)

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

产品应用分类：单端场效应管

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技术参数详解：

东芝半导体公司完整型号：TPC8117(TE12L,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.9 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4600pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8117(TE12L,Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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