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图片信息
RN2114MFV(TPL3)图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:RN2114MFV(TPL3)
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
  • 产品应用分类:单路﹐预偏压式晶体管
  • 点击此处下载RN2114MFV(TPL3)的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 东芝半导体公司完整型号:RN2114MFV(TPL3)
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):1k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):10k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-723
  • 供应商器件封装:VESM
  • RN2114MFV(TPL3)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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