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图片信息
RN1605TE85LF图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:RN1605TE85LF
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处下载RN1605TE85LF的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:RN1605TE85LF
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器-基极(R1):2.2 千欧
  • 电阻器-发射极(R2):47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 频率-跃迁:250MHz
  • 功率-最大值:300mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SC-74,SOT-457
  • RN1605TE85LF均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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