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图片信息
TJ11A10M3,S5Q(M图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:TJ11A10M3,S5Q(M
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
  • 产品应用分类:FET - 单
  • 点击此处下载TJ11A10M3,S5Q(M的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 东芝半导体公司完整型号: TJ11A10M3,S5Q(M
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 130 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 69nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3200pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 24W
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装: TO-220SIS
  • TJ11A10M3,S5Q(M均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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