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图片信息
STGB7NB40LZT4图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:STGB7NB40LZT4
  • 原始制造厂商:ST,意法半导体
  • 技术标准参数:IGBT 430V 14A 100W D2PAK
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载STGB7NB40LZT4的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:STGB7NB40LZT4
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 430V 14A 100W D2PAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):430V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):14A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 5V,14A
  • 功率-最大值:100W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:22nC
  • 25°C时Td(开/关)值:900ns/4.4μs
  • 测试条件:300V,46 欧姆,5V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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