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图片信息
KM3V6001CM-B705图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:KM3V6001CM-B705
  • 原始制造厂商:Samsung,三星半导体
  • 技术标准参数:SAMSUNG DRAM NAND
  • 产品应用分类:多制层封装芯片
  • 点击此处下载KM3V6001CM-B705的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 三星芯片型号:KM3V6001CM-B705
  • 制造商:SAMSUNG(三星半导体)
  • 功能类别:多制层封装芯片
  • eStorage 密度:128 GB
  • eStorage 版本:嵌入式多媒体卡 5.1
  • DRAM 密度:48Gb
  • DRAM 类型:四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 封装:254FBGA
  • 速率:3733 Mbps
  • 产品状态:批量生产
  • KM3V6001CM-B705均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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