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图片信息
K4A8G085WB-BIWE图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:K4A8G085WB-BIWE
  • 原始制造厂商:Samsung,三星半导体
  • 技术标准参数:SAMSUNG DRAM NAND
  • 产品应用分类:双倍数据率同步动态随机存储器
  • 点击此处下载K4A8G085WB-BIWE的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 三星芯片型号:K4A8G085WB-BIWE
  • 制造商:SAMSUNG(三星半导体)
  • 功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:8Gb
  • 架构:1G x 8
  • 速率:3200 Mbps
  • 工作电压:1.2 V
  • 工作温度:-40 ~ 95 °C
  • 封装:78FBGA
  • 产品状态:批量生产
  • K4A8G085WB-BIWE均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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