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图片信息
RW1C020UNT2R图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:RW1C020UNT2R
  • 原始制造厂商:ROHM,罗姆
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载RW1C020UNT2R的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:RW1C020UNT2R
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:不適用於新設計
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):2A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):105 毫欧 @ 2A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):180pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):400mW(Ta)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:6-WEMT
  • RW1C020UNT2R均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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