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图片信息
NE6510179A-T1-A图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:NE6510179A-T1-A
  • 原始制造厂商:Renesas,瑞萨电子
  • 技术标准参数:HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
  • 产品应用分类:RF FET
  • 点击此处下载NE6510179A-T1-A的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Renesas瑞萨完整型号: NE6510179A-T1-A
  • 制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
  • 功能总体简述: HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
  • 系列: -
  • 晶体管类型: HFET
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): -
  • 频率: 1.9GHz
  • 增益: 10dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
  • 电压 - 测试: 3.5V
  • 额定电流: 2.8A
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: -
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
  • 电流 - 测试: 200mA
  • 功率 - 输出: 32.5dBm
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 8V
  • 封装/外壳: 4-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装:
  • NE6510179A-T1-A均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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