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图片信息
NSBC114YDP6T5G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:NSBC114YDP6T5G
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处下载NSBC114YDP6T5G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:NSBC114YDP6T5G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器-基极(R1):10 千欧
  • 电阻器-发射极(R2):47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  • 电流-集电极截止(最大值):500nA
  • 频率-跃迁:-
  • 功率-最大值:339mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SOT-963
  • NSBC114YDP6T5G均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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