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图片信息
NCP5109ADR2G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:NCP5109ADR2G
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 产品应用分类:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处下载NCP5109ADR2G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:NCP5109ADR2G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压?-VIL,VIH:0.8V,2.3V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):250mA,500mA
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):200V
  • 上升/下降时间(典型值):85ns,35ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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