利用 Sanken 的下一代功率半导体 SiC（碳化硅）能实现采用肖特基势垒配置并具有 650 V 击穿电压的产品。

FMCA 系列二极管适用于连续电流模式 PFC 电路。 当用击穿电压为 600 V 的快速恢复整流器二极管替换时，该器件能降低恢复电流造成的功率损耗。 因此，该器件的节能效果巨大。 此外，通过其快速切换能力还可实现设备小型化。

SiC 肖特基势垒二极管有助于将电源损耗降至最低，如服务器的电源损耗，它会随着大数据处理任务的增加而增大。 该器件还有助于减小电气设备体积。

特性：

利用 SiC-SBD 的低恢复损耗特性提高电源能效

低电阻、高速开关式 SiC MOSFET 实现了一种紧凑的高能效电源

由于提升了高温期间的电流，所以不会出现热失控，进而能保持开关性能稳定