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图片信息
APT25GP120BDQ1G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:APT25GP120BDQ1G
  • 原始制造厂商:Microsemi,美高森美
  • 技术标准参数:IGBT 1200V 69A 417W TO247
  • 产品应用分类:单路IGBT
  • 点击此处下载APT25GP120BDQ1G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Microsemi美高森美完整型号:APT25GP120BDQ1G
  • 制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247
  • 系列:POWER MOS 7
  • IGBT 类型:PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):69A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):90A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.9V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:417W
  • Switching Energy:500μJ (开), 440μJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:110nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/70ns
  • Test Condition:600V, 25A, 5 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247 [B]
  • APT25GP120BDQ1G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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