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图片信息
APTM100A12STG图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:APTM100A12STG
  • 原始制造厂商:Microsemi,美高森美
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载APTM100A12STG的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:APTM100A12STG
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):68A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 34A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):616nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):17400pF @ 25V
  • 功率-最大值:1250W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP3
  • APTM100A12STG均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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