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图片信息
APTC60HM70RT3G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:APTC60HM70RT3G
  • 原始制造厂商:Microsemi,美高森美
  • 技术标准参数:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
  • 产品应用分类:场效应管模块
  • 点击此处下载APTC60HM70RT3G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Microsemi美高森美完整型号:APTC60HM70RT3G
  • 制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)+ 桥式整流器
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):39A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 39A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):259nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:250W
  • 安装类型:*
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商器件封装:SP3
  • APTC60HM70RT3G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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