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深圳市南皇电子有限公司 - IXYS - IXTA182N055T
IXTA182N055T
  • 制 造 商:IXYS(艾赛斯)
  • 出厂封装:TO-263
  • 功能类别:单端场效应管
  • 功能描述:MOSFET N-CH 55V 182A TO-263
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    功能介绍

    制造商零件编号:IXTA182N055T

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

    系列:TrenchMV?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):55V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):182A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5 毫欧 @ 25A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):114nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4850pF @ 25V

    功率 - 最大值:360W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

    供应商器件封装:TO-263 (IXTA)

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