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图片信息
IPD60R385CP图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IPD60R385CP
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载IPD60R385CP的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPD60R385CP
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):385 毫欧 @ 5.2A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 340μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):790pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:83W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
  • IPD60R385CP均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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