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深圳市南皇电子有限公司 - Diodes - DMT6008LFG-13
DMT6008LFG-13
  • 制 造 商:Diodes(达尔科技)
  • 出厂封装:PowerDI3333-8
  • 功能类别:单端场效应管
  • 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
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    功能介绍

    制造商零件编号:DMT6008LFG-13

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):60V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Ta),60A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50.4nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2713pF @ 30V

    功率 - 最大值:2.2W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerVDFN

    供应商器件封装:PowerDI3333-8

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