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高纹波抑制低压差稳压器
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超低导通电阻功率MOSFET
此MOSFET采用沟槽栅工艺,在10V栅压下导通电阻低至1.2mΩ,Qg仅38nC,显著降低开关损耗。Surge优化了体二极管反向恢复特性,使LLC或同步整流电路效率提升约0.8%。连续漏极电流达120A,雪崩耐量UIS为680mJ,适合服务器电源与车载DC-DC。DFN5x6封装,热阻低至0.6℃/W,确保高功率密度下的可靠散热。
宽频带低噪声运算放大器
该运放提供1.6GHz增益带宽积,压摆率85V/μs,输入电压噪声密度仅1.1nV/√Hz@10kHz。Surge利用双极-互补工艺实现极低失真,THD+N在1kHz、2Vrms输出时低于0.0002%。失调电压最大0.4mV,温漂0.8μV/℃,适合高速数据采集与有源滤波器。供电范围±2.25V至±6V,支持轨到轨输出,采用SOIC-8封装,兼容主流引脚定义。
耐高温长寿命铝电解电容
该电容在125℃环境下可连续工作10000小时,纹波电流承受能力比标准品提升40%。Surge采用高纯度电解纸与改进型电解液,等效串联电阻在100kHz下低至12mΩ,适应高频开关电源输出滤波。容量范围470μF至6800μF,电压等级25V至63V,漏电流仅为0.01CV。底部带防爆阀,符合AEC-Q200认证,适用于汽车电子与工业变频器。